Главная » В мире » «Роснано» осталось без американского оборудования для изготовления чипов

Новость опубликована: 19.08.2014

«Роснано» осталось без американского оборудования для изготовления чипов

После введения властями США ограничений на поставку в Россию так называемых технологий двойного назначения американская корпорация Applied Materials отказалась поставлять «Роснано» оборудование для завода по производству микросхем MRAM-памяти, заявил в интервью ИТАР-ТАСС глава «Роснано» Анатолий Чубайс. Проект строительства завода реализует международный консорциум с участием «Роснано».

«Мы находимся на завершающей стадии строительства крупного предприятия «Крокус наноэлектроника» в технополисе «Москва» по производству магниторезистивой памяти (MRAM). Часть оборудования должна была поставить американская Applied Materials, но отказалась», — пояснил Чубайс.

Глава «Роснано» подчеркнул, что отказ американцев от сотрудничества не привел к срыву пуска завода. О поставке необходимого оборудования договорились с поставщиком из Китая.

«Это пример, когда мы сумели быстро найти решение», — заключил глава «Роснано».

Напомним, что первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти (MRAM) с проектными нормами 90 нанометров компания «Крокус Наноэлектроника» — совместное предприятие «Роснано» и Crocus Technology — запустила в октябре 2013 года.

Общий объем инвестиций в проект превышает 200 млн евро, включая софинансирование «Роснано» в размере 100 млн евро. Ожидается, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014 году превысит $8 млрд.

Микросхемы MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) обладают преимуществами хорошо известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, то есть возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания. Микросхемы MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую скорость считывания и записи информации и практически неограниченное число циклов чтения и записи памяти DRAM с энергонезависимостью Flash.

Источник: РБК

читайте также:

Оставить комментарий